Главная / Новости

Новости кафедры

Древние

Программа весенней научной конференции студентов 2018

1 июня 2018, 19:25

Документ WordПрограмма весенней научной конференции студентов 2018 (80 Kбайт)

Весенняя научная конференция студентов

15 мая 2018, 15:04

28-29 мая 2018 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в весеннем семестре 2017/2018 учебного года. Регламент выступлений — 20 минут, в т. ч. 10 минут для ответов на вопросы. Форма презентации — мультимедиа, PowerPoint.

По результатам выступлений будут определены лучшие студенческие работы за весенний семестр по номинациям: 4, 5 и 6 курсы обучения.

Всем студентам необходимо в срок до 23 мая представить название доклада и краткую аннотацию (до 1000 знаков) на кафедру Караштину Е. А. (e-mail: Почтовая ссылкаeugenk@ipmras.ru).

Семинар аспирантов и студентов 26 апреля 2018 г.

24 апреля 2018, 09:58

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 26 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик:

Л. С. Бовкун

«Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле»

Семинар аспирантов и студентов 12 апреля 2018 г.

10 апреля 2018, 09:45

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 12 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик:

А. А. Яблоков

«Основы цифровых измерительных приборов»

Семинар аспирантов и студентов 5 апреля 2018 г.

4 апреля 2018, 15:12

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 5 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик:

П. М. Марычев

«Фазовые солитоны в двузонных сверхпроводниках»

Семинар аспирантов и студентов 22 марта 2018 г.

20 марта 2018, 15:18

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 22 марта (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик:

И. В. Малышев

«Рентгеновская микроскопия в диапазоне длин волн «окна прозрачности воды»

Семинар аспирантов и студентов 1 марта 2018 г.

28 февраля 2018, 08:19

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 1 марта (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик:

В.Л. Вадимов

«Незатухающий ток в металлических и сверхпроводящих кольцах»

Семинар аспирантов и студентов 15 февраля 2018 г.

14 февраля 2018, 10:19

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 15 февраля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик:

А.А. Копасов

«Структура электронных мод в майорановских нанопроводах»

Программа зимней научной конференции студентов 2017

23 декабря 2017, 19:34

Документ WordПрограмма зимней научной конференции студентов 2017 (80 Kбайт)

Семинар аспирантов и студентов 14 декабря 2017 г.

12 декабря 2017, 13:49

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 14 декабря (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик:

М.В. Свечников

«Рентгеновский фазовый контраст»

Зимняя научная конференция студентов

11 декабря 2017, 13:56

26-27 декабря 2017 г. в конференц-зале ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры. Регламент выступлений — 20 минут, в т. ч. 10 минут для ответов на вопросы. Форма презентации — мультимедиа, PowerPoint.

По результатам выступлений будут определены лучшие студенческие работы.

Всем студентам необходимо в срок до 20 декабря представить название доклада и краткую аннотацию (до 1000 знаков) на кафедру (e-mail: Почтовая ссылкаMTokman@ipm.sci-nnov.ru).

Семинар аспирантов и студентов 9 ноября 2017 г.

7 ноября 2017, 16:13

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 9 ноября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчики:

А. А. Конаков

«Электронная структура нанокристаллов кремния с галогеновым покрытием»

В. Н. Шастин

«Pump-probe измерения времен релаксации гелиеподобных донорных центров в кремнии»

Семинар аспирантов и студентов 19 октября 2017 г.

16 октября 2017, 11:36

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 19 октября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. Н. Нечай

«Введение в вакуумную технику для аспирантов и студентов»

Семинар аспирантов и студентов 12 октября 2017 г.

10 октября 2017, 11:11

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 12 октября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: П. А. Бушуйкин

«Особенности роста нитрида индия методом молекулярно-лучевой эпитаксии»

Семинар аспирантов и студентов 28 сентября 2017 г.

27 сентября 2017, 12:49

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 28 сентября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: М. А. Фадеев

«Оже-рекомбинация в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах на основе HgCdTe»

Семинар аспирантов и студентов 25 мая 2017 г.

22 мая 2017, 16:02

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 25 мая (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. А. Копасов

«Майорановские фермионы в полупроводниковых проводах с индуцированной сверхпроводимостью»

Семинар аспирантов и студентов 18 мая 2017 г.

17 мая 2017, 13:12

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 18 мая (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. А. Яблоков

«Нестационарная спектроскопия высокого разрешения субТГц и ТГц диапазона»

Семинар аспирантов и студентов 11 мая 2017 г.

10 мая 2017, 11:39

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 11 мая (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. М. Кадыков

«Детектирование ТГц излучения двумерными полупроводниками»

Семинар аспирантов и студентов 27 апреля 2017 г.

24 апреля 2017, 17:58

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 27 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: С. А. Гарахин

«Многослойные апериодические зеркала для МР и ЭУФ диапазона»

Семинар аспирантов и студентов 20 апреля 2017 г.

18 апреля 2017, 13:30

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 20 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: Л. С. Бовкун

«Магнитооптические исследования в стационарных полях до 30 Тесла»

Семинар аспирантов и студентов 13 апреля 2017 г.

11 апреля 2017, 16:43

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 13 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: М. В. Свечников

«Как найти фазу отраженного рентгеновского излучения?»

Семинар аспирантов и студентов 30 марта 2017 г.

29 марта 2017, 15:01

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 30 марта (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: В. Л. Вадимов

«Мюонная спиновая спектроскопия»

Семинар аспирантов и студентов 23 марта 2017 г.

23 марта 2017, 14:09

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 23 марта (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: Е. К. Свечникова

«Момент Лондона и гиромагнитные эффекты»

Семинар аспирантов и студентов 16 февраля 2017 г.

16 февраля 2017, 11:58

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 16 февраля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: М. А. Фадеев

«Поверхностные плазмоны в гетероструктурах на основе КРТ»

Программа зимней научной конференции студентов 2016

26 декабря 2016, 18:07

Документ WordПрограмма зимней научной конференции студентов (50 Kбайт)

Зимняя научная конференция студентов

15 декабря 2016, 18:21

27 декабря 2016 г. в 11:00 в конференц-зале ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в осеннем семестре 2016/2017 учебного года. Регламент выступлений — 20 минут, в т. ч. 10 минут для ответов на вопросы. Форма презентации — мультимедиа, PowerPoint.

По результатам выступлений будут определены лучшие студенческие работы кафедры за осенний семестр по номинациям: 4, 5 и 6 курсы обучения.

Всем студентам необходимо в срок до 21 декабря представить название доклада и краткую аннотацию (до 1 000 знаков) на кафедру (e-mail: Почтовая ссылкаMTokman@ipm.sci-nnov.ru).

Семинар аспирантов и студентов 15 декабря 2016 г.

14 декабря 2016, 12:33

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 15 декабря (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: Е. А. Суровегина

«Алмазная электроника»

Семинар аспирантов и студентов 8 декабря 2016 г.

7 декабря 2016, 12:08

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 8 декабря (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Доклады:

Е. Е. Орлова

«Анализ быстрых релаксационных процессов при оптическом возбуждении и ионизации акцепторов германия»

Р. Х. Жукавин

«Измерение времен релаксации кулоновских центров в полупроводниках методом pump-probe»

Семинар аспирантов и студентов 1 декабря 2016 г.

29 ноября 2016, 14:47

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 1 декабря (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: В. Н. Шастин

«Применение лазеров на свободных электронах (ЛСЭ) для исследования мелких примесных центров в полупроводниках»

Семинар аспирантов и студентов 24 ноября 2016 г.

22 ноября 2016, 13:10

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 24 ноября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. В. Семенова

«Применение Dip-pen нанолитографии для медицинских и биологических исследований»

Семинар аспирантов и студентов 10 ноября 2016 г.

8 ноября 2016, 16:37

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 10 ноября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: И. В. Малышев

«Измерение формы многослойных рентгеновских зеркал на основе фигур
вращения второго порядка с помощью интерферометра с дифракционной волной
сравнения»

Семинар аспирантов и студентов 27 октября 2016 г.

24 октября 2016, 15:48

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 27 октября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. С. Мельников

«Топологический изолятор (часть вторая)"

Семинар аспирантов и студентов 6 октября 2016 г.

5 октября 2016, 18:44

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 6 октября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: В. Л. Миронов

«Некоммутативные алгебры: от теоремы Пифагора до уравнения Дирака»

Семинар аспирантов и студентов 29 сентября 2016 г.

28 сентября 2016, 12:53

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 29 сентября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. С. Мельников

«Топологический изолятор»

Программа весенней научной конференции 2016

24 мая 2016, 15:23

26 мая 2016 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в весеннем семестре 2015/2016 учебного года. Документ WordПрограмма конференции (50 Kбайт)

Весенняя научная конференция студентов

16 мая 2016, 16:08

С 24 по 26 мая 2016 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в весеннем семестре 2015/2016 учебного года. Регламент выступлений — 20 минут, в т. ч. 10 минут для ответов на вопросы. Форма презентации — мультимедиа, PowerPoint.

Всем студентам необходимо в срок до 19 мая представить название доклада и краткую аннотацию (до 1 000 знаков) на кафедру (e-mail: Почтовая ссылкаMTokman@ipm.sci-nnov.ru).

Семинар аспирантов и студентов 28 апреля 2016 г.

27 апреля 2016, 11:19

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 28 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. М. Кадыков

«Полупроводниковые лазеры дальнего ИК диапазона»

Семинар аспирантов и студентов 21 апреля 2016 г.

19 апреля 2016, 11:14

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 21 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: Л. С. Бовкун

«Магнитооптические исследования полупроводниковых структур»

Семинар аспирантов и студентов 14 апреля 2016 г.

12 апреля 2016, 19:21

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 14 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: Р. В. Горев

«Методы измерений напряженности магнитного поля и намагниченности»

Семинар аспирантов и студентов 7 апреля 2016 г.

4 апреля 2016, 16:05

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 7 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: П. А. Бушуйкин

«Зонная структура нитрида индия»

Семинар аспирантов и студентов 31 марта 2016 г.

28 марта 2016, 11:39

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 31 марта (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: С. А. Королев

«Микроволновая ближнепольная микроскопия»

Семинар аспирантов и студентов 24 марта 2016 г.

22 марта 2016, 11:13

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 24 марта (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: П. А. Юнин

«Использование рентгеновской дифрактометрии на различных этапах создания полупроводниковых структур»

Семинар аспирантов и студентов 3 марта 2016 г.

2 марта 2016, 10:32

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 3 марта (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: И. В. Малышев

«Деформации высокоточных зеркал в оправах на примере телескопа «АРКА»

Семинар аспирантов и студентов 25 февраля 2016 г.

24 февраля 2016, 10:57

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 25 февраля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. С. Мельников

«Фермионы Майораны»

Программа зимней научной конференции 2015

21 декабря 2015, 17:03

24 декабря 2015 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в осеннем семестре 2015/2016 учебного года. Документ WordПрограмма конференции. (80 Kбайт)

Семинар аспирантов и студентов 17 декабря 2015 г.

15 декабря 2015, 13:40

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 17 декабря (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. Н. Зотова

«Сверхпроводимость при 200 К в сероводороде при высоких давлениях»

Зимняя научная конференция студентов

14 декабря 2015, 15:22

С 22 по 24 декабря 2015 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в осеннем семестре 2015/2016 учебного года. Регламент выступлений — 20 минут, в т. ч. 10 минут для ответов на вопросы. Форма презентации — мультимедиа, PowerPoint. По результатам выступлений будут определены лучшие студенческие работы кафедры за осенний семестр по номинациям: 4, 5 и 6 курсы обучения.

Всем студентам необходимо в срок до 17 декабря представить название доклада и краткую аннотацию (до 1 000 знаков) на кафедру (e-mail: Почтовая ссылкаMTokman@ipm.sci-nnov.ru).

Семинар аспирантов и студентов 10 декабря 2015 г.

8 декабря 2015, 11:32

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 10 декабря (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: М. В.Свечников

«Модельная и безмодельная реконструкция тонкопленочных систем по данным рентгеновской рефлектометрии»

Семинар аспирантов и студентов 3 декабря 2015 г.

2 декабря 2015, 11:06

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 3 декабря (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: Кочаровский Владимир Владиленович, чл.-корр. РАН, доктор физ.-мат. наук, заведующий отделом ИПФ РАН

«Нейтрино — на переднем крае мироздания» (по мотивам Нобелевской премии по физике 2015 г.)

Семинар аспирантов и студентов 26 ноября 2015 г.

24 ноября 2015, 11:21

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 26 ноября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.
Будут представлены доклады:

1. Е. Е. Орлова
«Измерение времен жизни связанных примесных состояний методом накачки и пробного импульса в условиях двухступенчатой фотоионизации».

2. К. А. Ковалевский
«Создание установки для измерения времен релаксации методом pump-probe с использованием терагерцового излучения лазера на свободных электронах в Институте им. Г. И. Будкера в Новосибирске».

Семинар аспирантов и студентов 19 ноября 2015 г.

16 ноября 2015, 15:47

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 19 ноября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: П. М. Марычев

«Флуктуационное переключение сверхпроводящих контактов в резистивное состояние»

Семинар аспирантов и студентов 12 ноября 2015 г.

10 ноября 2015, 11:38

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 12 ноября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Будут представлены доклады:

1. В. Н.Шастин
«Исследование неравновесных состояний примесных центров в полупроводниках с помощью лазеров на свободных электронах»,

2. Р. Х.Жукавин
«Сравнение параметров и методики измерений методом накачки и пробного импульса лазеров на свободных электронах FELIX (Голландия) и FELBE (Германия) и представление результатов измерений»,

3. Е. Е.Орлова
«Измерение времен жизни связанных примесных состояний методом накачки и пробного импульса в условиях двухступенчатой фотоионизации».

Семинар аспирантов и студентов 5 ноября 2015 г.

3 ноября 2015, 11:15

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 22 октября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. А. Копасов

«Магнитотранспортные свойства неупорядоченных сверхпроводников»

Семинар аспирантов и студентов 22 октября 2015 г.

21 октября 2015, 12:38

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 22 октября (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: В. Л. Вадимов

«Киральные сверхпроводящие состояния»

Семинар аспирантов и студентов 21 мая 2015 г.

20 мая 2015, 15:49

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 21 мая (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. М. Кадыков

«Межзонная фотолюминесценция и стимулированное излучение в узкозонных
полупроводниках»

Весенняя научная конференция студентов 2015

15 мая 2015, 13:00

С 26 по 28 мая 2015 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в весеннем семестре 2014/2015 учебного года. Регламент выступлений — 20 минут, в т. ч. 10 минут для ответов на вопросы. Форма презентации — мультимедиа, PowerPoint.

Документ WordПрограмма конференции (60 Kбайт)

Семинар аспирантов и студентов 14 мая 2015 г.

13 мая 2015, 12:48

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 14 мая (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. В. Ромашкин

«Вихревые состояния в мезоскопических сверхпроводниках»

Семинар аспирантов и студентов 23 апреля 2015 г.

21 апреля 2015, 11:48

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 23 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: М. В. Свечников

«Применение интерферометрии с дифракционной волной сравнения для определения шероховатостей среднечастотного диапазона»

Семинар аспирантов и студентов 16 апреля 2015 г.

15 апреля 2015, 13:02

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 16 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. В. Семенова

«Гиротропные свойства жидкокристаллического состояния ДНК»

Семинар аспирантов и студентов 9 апреля 2015 г.

7 апреля 2015, 14:02

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 9 апреля (четверг) в 15-00
в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: Р. В. Горев

«Ферромагнитный резонанс в массивах магнитных микрополосок»

Семинар аспирантов и студентов 2 апреля 2015 г.

1 апреля 2015, 16:38

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 2 апреля 2015 г. (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: Л. С. Бовкун

«Инжекционные лазеры дальнего ИК диапазона на основе PbSnSe и PbSnTe»

Семинар аспирантов и студентов 19 марта 2015 г.

18 марта 2015, 17:19

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 19 марта 2015 г. (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: П. А. Юнин

«Совместное использование методов рентгенодифракционного анализа и масс-спектрометрии вторичных ионов для диагностики многослойных структур на основе A3B5 и SiGe»

Семинар аспирантов и студентов 5 марта 2015 г.

4 марта 2015, 13:49

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 5 марта 2015 г. (четверг) в 15-00
в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: А. В. Путилов

«Определение структуры поверхности с помощью дифракции быстрых электронов»

Семинар аспирантов и студентов 26 февраля 2015 г.

25 февраля 2015, 11:01

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 26 февраля 2015 г. (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: С. А. Королёв

«Неохлаждаемые матричные датчики терагерцового диапазона»

Семинар аспирантов и студентов 19 февраля 2015 г.

17 февраля 2015, 16:38

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 19 февраля 2015 г. (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: П. А. Бушуйкин

«Нитрид индия — новый материал для оптоэлектроники»

Поздравляем профессора А.С.Мельникова

16 февраля 2015, 14:24

Поздравляем профессора межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ, заведующего лабораторией теории мезоскопических систем ИФМ РАН А. С.Мельникова с присуждением премии 2013 года издательства МАИК"Наука/Интерпериодика» за наиболее оригинальную статью в области физики и математики:

Н.Б. Копнин, И. М. Хаймович, А. С. Мельников, «Vortex matter in low-dimensional systems with proximity-induced superconductivity» Журнал экспериментальной и технической физики, т. 144, N 9, стр. 486-507 (2013).

Результаты зимней научной конференции студентов 2014

25 декабря 2014, 13:05

23 — 24 декабря 2014 г. в ИФМ РАН состоялась ежегодная студенческая конференция, в которой приняли участие студенты, проходящие практику в институте.

Комиссия в составе:

Д.А. Рыжов (председатель),А.В. Самохвалов, Д. Ю. Водолазов, А. А. Дубинов, Д. В. Козлов, А. Е. Пестов, Д. А. Савинов, Е. А. Караштин по итогам выступлений студентов выделила лучшие работы и присудила премии:

1-е премии (6 000 руб.):

  1. Фадеев М. А., рук. к. ф.-м.н. Морозов С. В.

2-е премии (3 500 руб.):

  1. Вадимов В. Л., рук. д. ф.-м.н. Мельников А. С.
  2. Волков М. Р., рук. д. ф.-м.н. Шастин В. Н.
  3. Разумов Д. Д., рук. к. ф.-м.н. Самохвалов А. В.
  4. Свечникова Е. К., рук. д. ф.-м.н. Фраерман А. А.
  5. Сидоров Д., рук. к. ф.-м.н. Торопов М. Н.
  6. Шампоров В., рук. д. ф.-м.н. Панкратов А. Л.
  7. Шапошников Р., рук. к. ф.-м.н. Полковников В. Н.
  8. Яблоков А. А., рук.к.ф.-м.н. Вакс В. Л.

3-и премии поощрительные (1 000 руб.):

  1. Рябкова М. С., рук. д. ф.-м.н. Фраерман А. А.
  2. Смирнов Н. В., рук. к. ф.-м.н. Гусев С. А.
  3. Тузов И. В., рук. к. ф.-м.н. Морозов С. В.
  4. Худякова Е. В., рук. к. ф.-м.н. Иконников А. В.

Премированным студентам необходимо подойти на базовую кафедру к М.А. Токман, к.223.

Программа зимней научной конференции 2014

18 декабря 2014, 15:40

С 23 по 24 декабря 2014 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в осеннем семестре 2014/2015 учебного года. Документ WordПрограмма конференции. (60 Kбайт)

Зимняя научная конференция студентов 2014

15 декабря 2014, 20:37

С 22 по 24 декабря 2014 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в осеннем семестре 2014/2015 учебного года. Регламент выступлений — 20 минут, в т. ч. 10 минут для ответов на вопросы. Форма презентации — мультимедиа, PowerPoint.
По результатам выступлений будут определены лучшие студенческие работы кафедры за осенний семестр по номинациям: 4, 5 и 6 курсы обучения.

Всем студентам необходимо в срок до 17 декабря представить название доклада и краткую аннотацию (до 1 000 знаков) на кафедру (e-mail: Почтовая ссылкаMTokman@ipm.sci-nnov.ru).

Семинар аспирантов и студентов 18 декабря 2014 г.

15 декабря 2014, 20:34

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 14 декабря 2014 г. (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: С. А. Королев

«Неохлаждаемые матричные приёмники терагерцового диапазона»

Семинар аспирантов и студентов 11 декабря 2014 г.

9 декабря 2014, 16:48

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 11 декабря 2014 г. (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: А. Н. Зотова

«Стимулирование сверхпроводимости электромагнитным излучением»

Семинар аспирантов и студентов 16 октября 2014 г.

13 октября 2014, 11:32

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 16 октября 2014 г. (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: В. Я. Алешкин

«Нобелевская премия по физике 2014 (полупроводниковые источники синего и белого света)"

Программа весенней научной конференции 2014

26 мая 2014, 17:36

27 мая, вторник, 15:30 — 4-й курс

Антон Яблоков (ВШОПФ - 4-й курс), руководитель: к. ф.-м.н. В. Л. Вакс

Двухчастотный спектрометр ТГц диапазона для аналитических исследований

Екатерина Поплаухина (ВШОПФ - 4-й курс), руководители: д. ф.-м.н. А. С. Мельников, к. ф.-м.н. С. В. Миронов

Фазовая диаграмма сверхпроводника, содержащего систему параллельных плоскостей двойникования

Дмитрий Разумов (ВШОПФ - 4-й курс), руководители: д. ф.-м.н. А. С. Мельников, к. ф.-м.н. С. В. Миронов

Дисперсионные характеристики собственных ЭМ волн в сверхпроводящем сэндвиче с аномальной прослойкой

28 мая, среда, 14:00 — 6-й курс

Александр Ромашкин (РФФ - 6-й курс), руководитель: д. ф.-м.н. В. В. Курин

Плазменно-леггеттовские волны в многозонных сверхпроводниках

Роман Горев (ФФ - 6-й курс), руководитель: д. ф.-м.н. В. Л. Миронов

Исследование спектров ферромагнитного резонанса в массивах взаимодействующих наночастиц

Михаил Свечников (ВШОПФ - 6-й курс), руководитель: д. ф.-м.н. Н. И. Чхало

Поиск частотных ограничений метода интерферометрии с дифракционной волной сравнения (ИДВС)

Александр Кадыков (РФФ - 6-й курс), руководитель: к. ф.-м.н. Д. М. Гапонова

Исследование явления ближнепольного переноса энергии между квантовыми ямами в гетероструктурах GaAa/AlGaAs

Павел Бушуйкин (ВШОПФ - 6-й курс), руководитель: д. ф.-м.н. Б. А. Андреев

Спектры и кинетика фотовозбуждения нитрида индия

29 мая, четверг, 14:00 — 4-й и 5-й курсы

Никита Смирнов (ФФ - 4-й курс), руководитель: к. ф.-м.н. С. А. Гусев

Исследование частиц, полученных методом фокусированного ионного травления ферромагнитных пленок

Илья Тузов (ФФ - 4-й курс), руководитель: к. ф.-м.н. С. В. Морозов

Исследование релаксации межзонной фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe

Михаил Волков (ВШОПФ - 5-й курс), руководитель: д. ф.-м.н. В. Н. Шастин

Релаксация состояний доноров в деформированном кремнии

Роман Косицын (ВШОПФ -5-й курс), руководитель: к. ф.-м.н. А. В. Иконников

Электролюминесценция и фотопроводимость в узкозонных гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами

Илья Малышев (РФФ -5-й курс), руководитель: д. ф.-м.н. Н. И. Чхало

Телескоп с расширенным полем зрения для вакуумного ультрафиолетового диапазона длин волн (100-200 нм)

Николай Низов (ВШОПФ - 5-й курс), руководитель: д. ф.-м.н. А. Л. Панкратов

Оптимизация параметров фазового кубита для одноимпульсного считывания состояния в присутствии шума

Владимир Низов (ВШОПФ - 5-й курс), руководитель: д. ф.-м.н. А. Л. Панкратов

Исследование влияния квантового мультипликативного шум на динамику джозефсоновского перехода в режиме генерации

Александр Копасов (РФФ - 5-й курс), руководитель: д. ф.-м.н. А. С. Мельников

Влияние неоднородности коэффициента диффузии на верхнее критическое поле в сверхпроводниках

Павел Марычев (ФФ - 5-й курс), руководители: к. ф.-м.н. Д. А. Рыжов, д. ф.-м.н. А. С. Мельников

Сверхпроводящий переход в гетероструктурах сверхпроводник-ферромагнетик: описание в рамках теории Узаделя

Василий Вадимов (ВШОПФ - 5-й курс), руководитель: д. ф.-м.н. А. С. Мельников

Квазичастичный спектр запиннингованных вихрей в сверхпроводниках с px+ ipy спариванием

Документ WordСкачать программу конференции

Весенняя научная конференция студентов 2014

12 мая 2014, 14:49

С 27 по 29 мая 2014 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в весеннем семестре 2013/2014 учебного года. Регламент выступлений — 20 минут, в т. ч. 10 минут для ответов на вопросы. Форма презентации — мультимедиа, PowerPoint.

Всем студентам необходимо в срок до 19 мая представить название доклада и краткую аннотацию (до 1 000 знаков) на кафедру (e-mail: Почтовая ссылкаMTokman@ipm.sci-nnov.ru).

Семинар аспирантов и студентов 24 апреля 2014 г.

22 апреля 2014, 18:40

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 24 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. В. Путилов

«Экспериментальное исследование пространственно-неоднородных сверхпроводящих состояний»

Семинар аспирантов и студентов 17 апреля 2014 г.

17 апреля 2014, 13:54

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 17 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: В. В. Румянцев

«Особенности излучательных свойств узкозонных полупроводников на примере твердых растворов PbSnSe(Te) и HgCdTe»

Системы на основе узкозонных твердых растворов PbSnSe(Te) и HgCdTe представляют значительный интерес для оптоэлектроники ДИК диапазона благодаря возможности варьировать ширину запрещенной зоны материала в широких пределах — от нескольких сотен миллиэлектронвольт до нуля. Лазеры на основе таких соединений могут работать в том числе в диапазоне 20 — 60 мкм, недоступном для приборов на основе А3В5 из-за сильного фононного поглощения. В докладе приведен обзор ряда особенностей твердых растворов PbSnSe(Te) и HgCdTe, определяющих их излучательные свойства, в частности, обсуждаются доминирующие механизмы рекомбинации носителей в условиях высокого уровня возбуждения.

Семинар аспирантов и студентов 10 апреля 2014 г.

10 апреля 2014, 12:30

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 10 апреля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. В. Семенова

«Математическое моделирование спектра поглощения ДНК в ТГц диапазоне»

Семинар аспирантов и студентов 27 марта 2014 г.

26 марта 2014, 16:25

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 27 марта (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: П. А. Юнин

«Рентгеноструктурный анализ монокристаллов»

Семинар аспирантов и студентов 20 марта 2014 г.

19 марта 2014, 12:14

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 20 марта (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. Н. Зотова

«Неравновесный отклик низкотемпературных сверхпроводящих пленок на поглощение оптического излучения»

Семинар аспирантов и студентов 6 марта 2014 г.

6 марта 2014, 12:13

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов
ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и
наноэлектроника», который состоится 6 марта 2014 г. (четверг) в 15-00
в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. В. Щербаков

«Микроскопия в мягком рентгене»

Аннотация:
Благодаря малой длине волны рентгеновского излучения рентгеновский микроскоп может достигать дифракционного разрешения порядка 10 нм и по теоретической величине разрешения занимает промежуточное положение между оптическим и электронным микроскопами. Он позволяет изучать не только распределение общей плотности вещества, но и распределение плотностей отдельных химических элементов. В докладе представлен обзор наиболее распространенных методик, используемых источников излучения и оптических элементов.

Семинар аспирантов и студентов 27 февраля 2014 г.

27 февраля 2014, 11:33

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 27 февраля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: А. А. Ластовкин

«Квантовые каскадные лазеры»

Семинар аспирантов и студентов 20 февраля 2014 г.

18 февраля 2014, 15:49

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры"Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 20 февраля (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: Д. А. Татарский

«Отражение нейтронов от магнитных зеркал»

Расписание переэкзаменовок Радиофизического факультета ННГУ

7 февраля 2014, 13:51

Внешняя ссылкаДокумент WordРасписание переэкзаменовок в зимнюю экзаменационную сессию Радиофизического факультета ННГУ, 2013-2014 учебный год

Семинар аспирантов и студентов 12 декабря 2013 г.

11 декабря 2013, 15:23

Приглашаем вас принять участие в работе семинара аспирантов и студентов ИФМ РАН и межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», который состоится 12 декабря (четверг) в 15-00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: С. А.Королев

«Зондовое анодное окисление»

Примерный план рассказа:
1. Сканирующая зондовая микроскопия,
2. Сканирующая зондовая литография,
3. Основная методика зондового анодного окисления,
4. Первые успехи зондового анодного окисления,
5. Механизм окисления. Модель Кабрера и Мотта,
6. Механизм окисления. Влияние пространственного заряда,
7. Импульсная методика зондового анодного окисления.

Зимняя научная конференция студентов 2013

6 декабря 2013, 20:26

С 23 по 25 декабря 2013 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в осеннем семестре 2013/2014 учебного года. Регламент выступлений — 20 минут, в т. ч. 10 минут для ответов на вопросы. Форма презентации — мультимедиа, PowerPoint.

По результатам выступлений будут определены лучшие студенческие работы кафедры за осенний семестр по номинациям: 4, 5 и 6 курсы обучения.

Всем студентам необходимо в срок до 16 декабря представить название доклада и краткую аннотацию (до 1000 знаков) на кафедру (e-mail: Почтовая ссылкаMTokman@ipm.sci-nnov.ru
).

Список студентов, которые примут участие в конференции, находится в Документ Wordпрограмме.

Семинар аспирантов и студентов 21 ноября 2013 г.

6 ноября 2013, 19:33

Приглашаем на образовательный семинар, который состоится в четверг 21 ноября 2013 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: С. В. Оболенский (ННГУ)

«Полевой транзистор с двумерным электронным газом»

Семинар аспирантов и студентов 1 ноября 2013 г.

30 октября 2013, 12:51

Приглашаем на образовательный семинар, который состоится в пятницу 1 ноября 2013 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: В. М. Краснов

«Single Abrikosov vortex as a tunable Josephson phase shifter»

A single quantized Abrikosov vortex carries a magnetic flux quantum, localized at its center, but generates a global, quantized 2p phase rotation in the superconducting condensate. This long range gauge field outside the area pierced by magnetic field is essentially the non-classical phenomenon, known as the magnetic Aharonov-Bohm effect. It emphasizes significance of potentials rather than forces in quantum mechanics. However, even in quantum mechanics gauge fields have limited significance: namely, only loop integrals of gauge fields are significant, while line integrals are non-integrable and should not be measurable.

For example, we can only say that the total phase shift around the vortex is 2p, but can not say that the phase difference from the left to the right side of the vortex is p. Non-rigidness of the phase is due to the gauge-invariance principle, which allows adding a gradient of arbitrary scalar function to the phase.

Here we report on detection of the phase shift from a single Abrikosov vortex [1]. A Cooper pair interferometry experiment is performed in the presence of a single Abrikosov vortex, using specially designed Josephson junctions as phase-sensitive detectors. Surprisingly, a rigid, deterministic phase shift which is equal to the polar angle of the vortex is detected. It changes by p upon going from one side of the vortex to the other. The origin of the observed rigidness of the phase is quite intriguing. Although the origin of the seeming rigidness of the detected phase remains to be clarified, it is demonstrated that the single Abrikosov vortex can act as a phase battery for Josephson electronics and can lead to controllable and reversible switching of conventional Josephson junctions into the 0-p state when the vortex is close to a junction or to arbitrary 0-j state, where j is close to the polar angle between the vortex and the junction edges.

Результаты весенней научной конференции студентов 2013

27 июня 2013, 14:22

28 — 30 мая 2013 г. в ИФМ РАН состоялась ежегодная студенческая конференция, в которой приняли участие студенты, проходящие практику в институте.

Комиссия в составе:

Д.А. Рыжов (председатель),А.Ю. Аладышкин, С. Н. Вдовичев, Д. Ю. Водолазов, Л. В. Гавриленко, Д. В. Козлов, Д. Н. Лобанов, С. В. Морозов, С. В. Миронов, А. Е. Пестов по итогам выступлений студентов выделила лучшие работы и присудила премии:

1-е премии (5 000 руб.):

Смирнов А. А. рук. д. ф.-м.н. Мельников А. С.

Свечников М. В. рук. д. ф.-м.н. Чхало Н. И.

Малышев И. В. рук. д. ф.-м.н. Чхало Н. И.

Селезнев В. М. рук. к. ф.-м.н. Парафин А. Е.

2-е премии (3 000 руб.):

Кадыков А. М. рук. к. ф.-м.н. Гапонова Д. М.

Премированным студентам необходимо подойти на базовую кафедру к М.А. Токман, к.223.

Семинар аспирантов и студентов 16 мая 2013 г.

14 мая 2013, 11:53

Приглашаем на образовательный семинар, который состоится в четверг 16 мая 2013 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: С. А. Королев

«Механизмы электронного транспорта в контактах металл-полупроводник».

Контакты металл-полупроводник нашли широкое применение в современной микроэлектронике. На их основе изготавливаются диоды, которые отличаются своим быстродействием. Контакты металл-полупроводник являются неотъемлемой частью соединений между транзисторами и/или другими функциональными элементами интегральных схем. В зависимости от приложений вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник может иметь различную форму: начиная от линейной и заканчивая экспоненциальной. На семинаре будет рассказано о классической теории Мотта-Шоттки, о термоэмиссионной теории, об эффектах, которые вносят значительный вклад в зависимость тока от напряжения. Особое внимание будет уделено туннельному эффекту, который является определяющим в случае омических контактов.

Весенняя научная конференция студентов 2013

14 мая 2013, 11:51

С 28 по 30 мая 2013 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4 — 6 курсов базовой кафедры по результатам работ, выполненных в 2012/2013 учебном году. Регламент выступлений — 20 минут, в т. ч. 10 минут для ответов на вопросы. Форма презентации — мультимедиа, PowerPoint.

Всем студентам необходимо в срок до 21 мая представить название доклада и краткую аннотацию (до 1 000 знаков) на кафедру (e-mail: Почтовая ссылкаMTokman@ipm.sci-nnov.ru).

Семинар аспирантов и студентов 25 апреля 2013 г.

25 апреля 2013, 11:31

Приглашаем на образовательный семинар, который состоится в четверг 25 апреля 2013 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: А. В. Путилов

«Изучение электрофизических свойств поверхности методами туннельной микроскопии и спектроскопии».

Сканирующий туннельная микроскопия и спектроскопия — это мощное средство для изучения электрофизических свойств проводящих поверхностей с предельным пространственным и энергетическим разрешением. На семинаре будет обсуждаться основные принципы сканирующей туннельный микроскопии (СТМ) и различные режимы работы СТМ-микроскопа. Будет обсуждаться использование техники СТМ для изучения топографии поверхности металлических и полупроводниковых монокристаллов, а также для изучения плотности состояний в таких образцах на примере низкотемпературной сверхвысоковакуумной установки Omicron.

Семинар аспирантов и студентов 18 апреля 2013 г.

16 апреля 2013, 11:19

Приглашаем на образовательный семинар, который состоится в четверг 18 апреля 2013 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: В. В. Румянцев

«Механизмы межзонной рекомбинации носителей в узкозонных твердых растворах HgCdTe».

В докладе представлены базовые сведения о механизмах рекомбинации неравновесных носителей тока в прямозонных полупроводниках с узкой шириной запрещенной зоны на примере твердых растворов HgCdTe. Для каждого из трех основных процессов межзонной рекомбинации (излучательная рекомбинация, Оже-рекомбинация и рекомбинация через примеси и дефекты (модель Шокли-Рида-Холла)) рассматриваются зависимости времени жизни неравновесных носителей от температуры, уровня легирования и интенсивности возбуждающего излучения. Особое внимание уделяется кинетике релаксации избыточной концентрации носителей при межзонном возбуждении короткими оптическими импульсами.

Корреспонденты «МК в Нижнем» побывали в ИФМ РАН накануне Дня космонавтики

11 апреля 2013, 15:13

В газете «МК в Нижнем» вышла статья «Внешняя ссылкаНижегородские физики обещают сделать Солнце ближе».

Семинар аспирантов и студентов 11 апреля 2013 г.

9 апреля 2013, 17:36

Приглашаем на образовательный семинар, который состоится в четверг 11 апреля 2013 г. в 14.45 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: А. Н. Зотова

«Однофотонный сверхпроводящий детектор».

Основная часть сверхпроводящего однофотонного детектора (SSPD) — тонкая и длинная сверхпроводящая пленка, смещенная током немного ниже критического тока. Когда фотон взаимодействует с пленкой, он создает в ней горячее пятно. Это приводит к образованию нормальной области поперек пленки, на детекторе регистрируется пик напряжения. После того, как нормальная перемычка поперек пленки остывает, пленка возвращается в сверхпроводящее состояние. Регистрация импульсов напряжения позволяет обнаружить и сосчитать одиночные фотоны, поглощенные сверхпроводящим детектором.

Семинар аспирантов и студентов 4 апреля 2013 г.

3 апреля 2013, 15:17

Приглашаем на образовательный семинар, который состоится в четверг 4 апреля 2013 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН (к.237).

Докладчик: П. К. Гайкович

«Апериодические многослойные рентгеновские зеркала: обзор и методы расчета их параметров».

Многослойные рентгеновские периодические зеркала давно зарекомендовали себя как надёжные отражающие и управляющие элементы рентгеновских оптических схем. В рентгеновском диапазоне длин волн коэффициент преломления близок к единице, поэтому отражение от одной поверхности крайне мало. Для достижения больших коэффициентов отражения применяются многослойные структуры, на границах слоёв которых происходит интерференция волн, что позволяет добиться коэффициентов отражения в десятки процентов. Однако для ряда задач (например, максимальное равномерное отражение в заданном диапазоне длин волн или углов, максимальный интегральный коэффициент отражения системы зеркал) периодические структуры оказываются малоэффективными. Для решения таких задач могут быть созданы зеркала на основе апериодических многослойных покрытий с переменными толщинами слоёв. На образовательном семинаре будет рассказано о работах, посвящённых таким структурам, и методах расчётов их геометрических параметров.

Семинар аспирантов и студентов 21 марта 2013 г.

26 марта 2013, 15:40

Приглашаем на образовательный семинар, который состоится в четверг 28 марта 2013 г. в 15.00 в к.206 ИФМ РАН.

Докладчик: Д. А. Татарский

«Влияние поликристаллической структуры на магнитные свойства тонких пленок и наноструктур на их основе».

Как правило, тонкие ферромагнитные пленки не являются монокристаллами. Соответственно, важным аспектом их исследования является выяснение взаимосвязей между кристаллической структорой пленок и их магнитными свойствами. В частности, при определенных условиях приминима модель слабой анизотропии. В рамках этой модели помимо таких масштабов, как обменная длина и толщина доменной стенки, возникает еще одна характерная длина: длина ферромагнитной корреляции. Рассотрениею вопроса о влиянии этих трех масштабов на магнитные свойства пленок и магнитное состояние в наноструктурах на их основе и посвящен образовательный семинар.

Семинар аспирантов и студентов 21 марта 2013 г.

18 марта 2013, 15:55

Приглашаем на образовательный семинар, который состоится в четверг 21 марта 2013 г. в 15.00 в к.206 ИФМ РАН.

Докладчик: А. А. Беспалов

«Фотонные кристаллы».

Фотонные кристаллы представляют собой материалы с периодически модулированной в пространстве диэлектрической проницаемостью. В приближении линейной электродинамики фотоны в подобной среде ведут себя как электроны в обычном кристалле: они испытывают брэгговское отражение на периодически меняющейся диэлектрической проницаемости, а спектр фотонов приобретает зонную структуру. В докладе будут освещены основы теории фотонных кристаллов с некоторыми приложениями. В частности, будет рассмотрено полное отражение света от одномерного фотонного кристалла (явление, используемое в рентгеновских зеркалах), возникновение запрещённой зоны в спектре трёхмерного фотонного кристалла, локализованные состояния на дефектах, возможность создания материала с эффективным отрицательным показателем преломления, а также эффекты самоколлимации света и аномально сильной зависимости угла преломления от угла падения.

Согласование индивидуальных учебных планов

12 февраля 2013, 14:56

Поскольку обучение на кафедре осуществляется по индивидуальным планам, студентам необходимо согласовывать свои учебные планы с научными руководителями и руководством кафедры.

Расписание в весеннем семестре 2012-2013

12 февраля 2013, 14:54

Составлено расписание занятий в весеннем семестре 2012-2013 учебного года.

Семинар аспирантов и студентов 14 февраля 2013 г.

8 февраля 2013, 15:04

Приглашаем на семинар аспирантов и студентов, который состоится в четверг 14 февраля 2013 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: П. А. Юнин

«Методы рентгенодифракционного анализа микроструктур».

Доклад З. Ф. Красильника на Президиуме РАН

30 января 2013, 12:37

России нельзя упустить шанс для участия в новой революции в электронике - доклад З. Ф. Красильника на президиуме РАН, 23 января 2013

Результаты научной конференции студентов 2012

21 декабря 2012, 14:01

19-20 декабря 2012 г. в ИФМ РАН состоялась ежегодная студенческая конференция, в которой приняли участие студенты, проходящие практику в институте.

Комиссия в составе:

Д.А. Рыжов (председатель),А.Ю. Аладышкин, С. Н. Вдовичев, Л. В. Гавриленко, А. А. Дубинов, А. И. Иконников, Д. В. Козлов, Д. Н. Лобанов, С. В. Морозов, А. Е. Пестов, М. А. Силаев, О. Г. Удалов по итогам выступлений студентов выделила лучшие работы и присудила премии:

1-е премии (6 000 руб.):

Калинин К. П. рук. к. ф.-м.н. Криштопенко С. С.

Вадимов В. Л. рук. к. ф.-м.н. Силаев М. А.

2-е премии (3 000 руб.):

Малышев И. В. рук. д. ф.-м.н. Чхало Н. И.

Свечников М. В. рук. д. ф.-м.н. Чхало Н. И.

Разумов Д. рук. Миронов С. В.

3-е премии (2 000 руб.):

Смирнов А. А. рук. д. ф.-м.н. Мельников А. С.

Горев Р. В. рук. д. ф.-м.н. Миронов В. Л.

Премированным студентам необходимо подойти на базовую кафедру к М.А. Токман, к.223.

Научная конференция студентов 2012

7 декабря 2012, 12:11

Внимание! Студенты и их научные руководители!

С 18 по 20 декабря 2012 г. в ИФМ РАН проводится научная конференция студентов 4-6 курсов базовой кафедры по результатам выполнения курсовых и дипломных работ в сентябре-декабре 2012 года.

Всем студентам необходимо в срок до 13 декабря прислать название доклада и краткую аннотацию (не более 10 строк) на кафедру (e-mail: Почтовая ссылкаMTokman@ipm.sci-nnov.ru).

Семинар аспирантов и студентов 6 декабря 2012 г.

29 ноября 2012, 16:42

Приглашаем на семинар аспирантов и студентов, который состоится в четверг 6 декабря 2012 г. в 11.00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: д. ф.-м.н. Г. Э. Цырлин

«Полупроводниковые нитевидные кристаллы: рост и физические свойства».

Аннотация:

В настоящее время наблюдается повышенный интерес к исследованию процессов формирования нитевидных кристаллов и исследованию их свойств. Нитевидными нанокристаллами (ННК) или нановискерами называют кристаллы с поперечным размером порядка 10-100 нм и длиной, на порядок и более превосходящей поперечный размер. Заметный прогресс в области понимания процессов роста ННК позволяет предположить, что возможно получение ННК полупроводниковых соединений А3В5 на поверхности различных подложек с низким уровнем структурных дефектов, недостижимых для массивных слоев. Данное предположение базируется на том факте, что развитая поверхность ННК способствует релаксации напряжений, связанных с рассогласованием решеток не за счет образования структурных дефектов (дислокаций несоответствия), а за счет образования роста граней ННК. Обычно ННК выращивают с помощью внешнего катализатора, в большинстве случаев, золота. Однако в ряде случаев атомы золота могут встраиваться в растущий кристалл, что приводит неконтролируемому легированию и деградации оптических и электрофизических свойств ННК. В докладе рассматриваются фундаментальные и прикладные аспекты синтеза, свойств и приложений полупроводниковых ННК в системе А3В5. Следует подчеркнуть, что ННК формируются не в результате процессов самоорганизации, как многие другие наноструктуры, а за счет предварительной под-готовки поверхности. Возможность прецизионного контроля диаметра, высоты, формы, плотности, структуры и состава ННК является, на наш взгляд, одним из основных преимуществ, позволяющим существенно улучшить свойства материала и создать новое поколение функциональных наноустройств с качественно новыми характеристиками.

Семинар аспирантов и студентов 22 ноября 2012 г.

20 ноября 2012, 20:44

Приглашаем на семинар аспирантов и студентов, который состоится в четверг 22 ноября 2012 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: М. В. Степихова

«Легированные эрбием кремниевые структуры для фотонных приложений».

Семинар аспирантов и студентов 25 октября 2012 г.

23 октября 2012, 20:40

Приглашаем на семинар аспирантов и студентов, который состоится в четверг 25 октября 2012 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: д. ф.-м.н. В. В. Курин

«Чудеса в квантовой механике».

Семинар аспирантов и студентов 18 октября 2012 г.

17 октября 2012, 11:29

Приглашаем на семинар для аспирантов и студентов, который состоится в четверг 18 октября 2012 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: М. С. Жолудев

«Циклотронный резонанс в сильных магнитных полях в гетероструктурах на основе CdHgTe».

Семинар аспирантов и студентов 11 октября 2012 г.

8 октября 2012, 12:53

Приглашаем на семинар для аспирантов и студентов, который состоится в четверг 11 октября 2012 г. в 15.00 в зале семинаров ИФМ РАН.

Докладчик: В. Я. Алёшкин

«50 лет полупроводниковому лазеру: история и перспективы».

День открытых дверей ВШОПФ

25 сентября 2012, 11:45

Приглашаем старшеклассников, родителей, учителей 5-го октября 2012 г. в 16:00 день открытых дверей факультета Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского Высшая школа общей и прикладной физики и Института прикладной физики Российской академи наук по адресу ул. Б. Печерская, д. 31/9, 3 этаж НОЦ ИПФ РАН.

В программе:

  • Экскурсия по лабораториям Института прикладной физики Российской академии наук;
  • Информация об условиях обучения на факультете и перспективах трудоустройства;
  • Информация об условиях поступления;
  • Информация о подготовительных курсах (курсы бесплатные!) к олимпиадам и ЕГЭ по физике.

Внешняя ссылкаИнформация на сайте факультета.

Радиофизический факультет ННГУ приглашает школьников, их родителей и учителей на День открытых дверей 30 сентября (воскресенье) 2012 г. в 13:00

19 сентября 2012, 19:18

Мероприятие состоится по адресу: Н. Новгород, пр-т Гагарина, 23 (остановка"Университет”), корп. 4.

Вы сможете:

  • задать вопросы декану факультета,
  • пообщаться с преподавателями и выпускниками факультета, работниками Приемной комиссии ННГУ,
  • совершить экскурсию по факультету.

У нас готовят востребованных специалистов

по направлению «Радиофизика” с профилями
Фундаментальная радиофизика, Электродинамика, Квантовая радиофизика и квантовая электроника, Электроника, микро- и наноэлектроника, Физика ионосферы и распространения радиоволн, радиоастрономия, Физика колебаний и волновых процессов, Телекоммуникационные системы и информационные технологии, Радиофизические методы в медицине, Радиофизические измерения Статистическая радиофизика, Физическая акустика, Менеджмент в научных исследованиях и высоких технологиях

по направлению «Фундаментальная информатика и информационные технологии” с профилями
Физические основы и технологии беспроводной связи, Приложения нелинейной динамики к задачам передачи, обработки, хранения и защиты информации, Лазерные и оптические технологии, Помехоустойчивость и электромагнитная совместимость информационных систем, Автоматизация научных исследований, Методы и средства обработки информационных потоков в каналах передачи информации, Средства и методы обеспечения безопасности информационных технологий

по специальности «Информационная безопасность телекоммуникационных систем” со специализацией
Системы подвижной цифровой защищенной связи

Ждём Вас

(Подробности на Внешняя ссылкасайте радиофизического факультета и Внешняя ссылкастранице в контакте)

Cекция "Английский язык в радиофизике"

10 сентября 2012, 19:48

Вниманию студентов и аспирантов!
С 8 по 16 октября 2012 г. (точная дата будет объявлена дополнительно) состоится секция «Английский язык в радиофизике» Шестнадцатой научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения А. Н. Бархатова.
Просьба к желающим участвовать в работе секции представить текст планируемого доклада, оформленный в соответствии с правилами, на проверку Л. Т. Борисовой до 01.10.12.
Правила оформления можно найти Внешняя ссылкана сайте РФФ.

Конкурс для аспирантов и молодых ученых 2012 года

26 июня 2012, 15:45

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского в рамках реализации программы развития ННГУ как национального исследовательского университета, объявляет конкурсы для аспирантов и молодых ученых — кандидатов наук, проводящих научные исследования в рамках приоритетного направления развития ННГУ"Информационно-телекоммуникационные системы: физические и химические основы, перспективные материалы и технологии, математическое обеспечение и применение».

1. Конкурс научных работ аспирантов.

Прием заявок на участие в конкурсе — до 20 сентября 2012 года
Внешняя ссылкаДокумент WordПоложение о конкурсе.

2. Конкурс учебно-методических разработок, подготовленных молодыми кандидатами наук

Прием заявок на участие в конкурсе — до 20 сентября 2012 года
Внешняя ссылкаДокумент WordПоложение о конкурсе.

Конкурсные документы представляются в Институт аспирантуры и докторантуры ННГУ секретарю конкурсной комиссии Почтовая ссылкаМ. С. Козичевой в электронном виде и на бумажных носителях (II корпус ННГУ, комн. 270).

Только актуальные новости