Главная / Сотрудники / Новиков А.В.

Алексей Витальевич Новиков

Зав. лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии кремний-германиевыхструктур отдела физики полупроводников ИФМ РАН, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 6 марта 1968 г.

Научные интересы

Молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур, GeSi/Si гетероструктуры, самоорганизация, фотолюминесценция, атомно-силовая микроскопия.

Образование

  • 1992 — закончил факультет Прикладной физики и микроэлектроники Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского;
  • 1993 — 1996 — аспирант Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, г. Н. Новгород, Россия;
  • июнь 2001 — защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по теме «Исследование роста и свойств самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)".

Профессиональная карьера

  • 1992 — 1993 — инженер в Научно-исследовательском физико-техническом институте при Нижегородском государственном университете;
  • 1996 — 2003 — младший / старший научный сотрудник ИФМ РАН;
  • 2003 — н/вр — заведующий лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии кремний-германиевых структур ИФМ РАН.

Избранные публикации

  • Self-organization of germanium nanoislands obtained in silicon bymolecular-beam epitaxy / V. Ya. Aleshkin, N. A. Bekin, N. G. Kalugin, Z. F. Krasil’nik, A. V. Novikov, V. V. Postnikov, H. Seyringer, JETP Letters 67 (1), 48-53 (1998).
  • Low-Energy Photoluminescence of Structures with GeSi/Si(001)Self-Assembled Nanoislands / N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil’nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, JETP Letters 76, 365 (2002).
  • Growth and photoluminescence of Ge(Si) self-assembled islandsobtained during the deposition of Ge on a strained SiGe layer / D. N. Lobanov, A. V. Novikov, N. V. Vostokov, Y. N. Drozdov, A. N. Yablonskiy, Z. F. Krasilnik, M. Stoffel, U. Denker, O. G. Schmidt, Optical Materials 27, 818-821 (2005).
  • Photoluminescence of Ge(Si) self-assembled islands embedded in atensile-strained Si laye r/ M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov, Applied Physical Letters 88, 011914 (2006).
  • Photoluminescence of dome and hut shaped Ge(Si) self-assembledislands embedded in a tensile-strained Si layer / M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov, Applied Physics Letters 91, 021916 (2007).
  • Features of two-dimensional to three-dimensional growth modetransition of Ge in SiGe/Si(001) heterostructures with strainedlayers / D. V. Yurasov, Yu. N. Drozdov, M. V. Shaleev, A. V. Novikov, Applied Physical Letters 95, 151902 (2009).
  • Observation of the electron-hole liquid in Si1-xGex/Si quantumwells by steady-state and time-resolved photoluminescencemeasurements / V. S. Bagaev, V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, A. V. Novikov, E. E. Onishchenko, M. L. Skorikov, Phys. Rev. B 82, 115313-5 (2010).
  • Distinctions in the Ge wetting layer formation and self-assembledisland nucleation between single- and multilayer SiGe/Si(001)structures / D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, А. V. Novikov, Journal of Crystal Growth 313, 12 (2010).
  • SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-basedoptoelectronic / Z. F. Krasilnik, A. V. Novikov, D. N. Lobanov, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, S. V. Obolenskiy, N. D. Zakharov, P Werner, Semiconductor Science and Technology 26, 014209 (2011).
  • Usage of antimony segregation for selective doping of Si inmolecular beam epitaxy / D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, M. V. Shaleev, N. D. Zakharov, A. V. Novikov, Journal of Applied Physics 109, 113533 (2011).

Контактная информация

ИФМ РАН к.101

Тел.: (831) 417-94-80

E-mail: Почтовая ссылкаanov@ipmras.ru