Главная / Сотрудники / Шастин В.Н.

Валерий Николаевич Шастин

Заведующий лабораторией ИФМ РАН, ведущий научный сотрудник отдела физики полупроводников, д. ф.-м. н., профессор.

Персональные данные

Родился 18 июня 1948 г. в Горьком.

Научные интересы

Полупроводники, ИК лазеры и лазерная физика, неравновесные состояния электронов.

Образование

Радиофизический факультет Горьковского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского.

Профессиональная карьера

  • 1971-1977 — НИРФИ: инженер, мнс;
  • 1977-1993 — ИПФ РАН: мнс, снс;
  • 1994-н.в. — ИФМ РАН: снс, внс, зав. лаб.

Избранные публикации

  • Об усилении далекого инфракрасного излучения в германии при инверсии населенностей «горячих» дырок / Шастин В. Н., Андронов А. А., Козлов В. А., Мазов Л. С., Письма в ЖЭТФ 30 (9), 585 (1979).
  • Стимулированное излучение в длинноволновом ИК диапазоне на горячих дырках Ge в срещенных электрическом и магнитном полях / Шастин В. Н., Андронов А. А., Зверев И. В., Козлов В. А., Ноздрин Ю. Н., Павлов С. А., Письма в ЖЭТФ 40 (2), 69 (1984).
  • Перестраиваемые лазеры дальнего ИК-диапазона на горячих дырках в полупроводниках / Шастин В. Н., Андронов А. А., Ноздрин Ю. Н., Изв. АН СССР. Сер. физическая 50 (6), 1103 (1986);
  • Квантовые осцилляции коэффициента усиления и стимулированное излучение на межподзонных переходах горячих дырок p-Ge / В. Н. Шастин, А. В. Муравьев, Ю. Н. Ноздрин, Письма в ЖЭТФ 43 (7), 348 (1986).
  • Субмиллиметровые лазеры на горячих дырках в полупроводниках / В. Н. Шастин и др., Коллективная монография под редакцией А. А. Андронова, Горький, ИПФ АН СССР (1987).
  • Hot hole inter-sub-band transition p-Ge FIR laser / В. Н. Шастин, Opt. Quantum Electronics 23 (2), 111 (1991).
  • Landau quantization and hot hole stimulated emission in crossed electric and magnetic fields / V. N. Shastin, A. V. Murav’jov, Opt. Quantum Electronics 23 (2), S313 (1991).
  • Stimulated emission from donor transitions in silicon / S. G. Pavlov, R. Kh. Zhukavin, E. E. Orlova, V. N. Shastin, A. V. Kirsanov, A. H-W. Hubers, K. Auen and Riemann, Phys. Rev. Lett. 84 (22), 5220 (2000).
  • Terahertz lasers based on germanium and silicon / V. N. Shastin, Hübers H.-W., S. G. Pavlov, Semiconductor Science and Technology 20, 1 (2005).
  • Stimulated Terahertz Stokes Emission of Silicon Crystals Doped with Antimony Donors / S. G. Pavlov, H.-W. Hübers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, D. A. Carder, P. G. Phillips, B. Redlich, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin and V. N. Shastin, Phys. Rev. Let. 96, 037404 (2006).
  • Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon / V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, K. A. Kovalevsky, S. G. Pavlov, H.-W. Hübers et. al., Appl. Phys. Lett. 90, 051101 (2006).
  • Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon / V. N. Shastin, S. G. Pavlov, U. Böttger, J. N. Hovenier, N. V. Abrosimov, H. Riemann et. al., Appl. Phys. Lett. 94, 171112 (2009).
  • Spin-orbit coupling effect on bismuth donor lasing in stressed silicon / R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, H.-W. Hubers, H. Riemann, N. V. Abrosimov and A. K. Ramdas, Appl. Phys. Lett. 99, 171108 (2011).

Контактная информация

ИФМ РАН к.260

Тел.: (831) 417-94-79

E-mail: Почтовая ссылкаshastin@ipmras.ru