Циклотронный резонанс в полупроводниках
Краткое описание работы
В данной работе предполагается исследование спектров циклотронного резонанса электронов и дырок в Ge в миллиметровом диапазоне длин волн (λ ~ 2мм). Работа выполняется при температуре жидкого гелия при фотовозбуждении носителей заряда. Предполагается определение эффективных масс носителей и их анизотропии.
Список оборудования
- Генератор сигналов высокочастотный программируемый Г4-161;
- Генератор импульсов Г5-56;
- Транспортный гелиевый сосуд Дьюара СТГ-40;
- Криогенная вставка в транспортный гелиевый сосуд Дьюара со сверхпроводящим соленоидом. Данная вставка разработана и изготовлена в ИФМ РАН.
- Усилитель Unipan 232B с предусилителем 232-6 и схемой смещения, собранной в ИФМ РАН;
- Синхродетектор Stanford Research Systems SR830;
- Цифровой осциллограф LeCroy WaveJet 324A;
- Источник тока СТС-60;
- Цифровой вольтметр APPA 79.
Фото оборудования
Учебно-методическое пособие
Электрические, магнитные и оптические измерения твердых тел, с.46-74.