Энергетические уровни и коэффициенты туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами и потенциальными барьерами

Краткое описание работы

Работа предназначена для освоения современных методов расчета спектра электронов и дырок в гетероструктурах AlGaAs/GaAs и InGaAs/GaAs с квантовыми ямами. Для расчетов электронного спектра используется модель Кейна с учетом влияния деформации структуры на электронный спектр. Для расчета спектра дырок используется приближение эффективной массы. В качестве метода решения уравнения Шредингера используется метод матрицы распространения.

Список оборудования

Для выполнения лабораторной работы необходим компьютер с предустановленной программой MathCad 14.