Горячие носители заряда в полупроводниках
Краткое описание работы
Лабораторная работа посвящена измерению вольт-амперных характеристик при двух температурах (300 и 77 К) в объемном p-Ge при приложении импульсного электрического поля. Работа демонстрирует роль подключения рассеяния на оптических фононах при разогреве носителей в сильных электрических полях.
Список оборудования
- Генератор импульсов Г5-54
- Блок питания Б5-31
- Блок питания Б5-10
- Блок развертки производства ИФМ РАН
- Осциллограф С1-74
- Строб интегратор L1012A-L1011A
- Персональный компьютер
- Усилитель производства ИФМ РАН
Фото оборудования
