Главная / Учёба / Лабораторные работы / Комбинационное рассеяние света в полупроводниковых гетероструктурах

УНЭ «Комбинационное рассеяние света в полупроводниковых гетероструктурах»

Руководитель

Павел Александрович Бушуйкин

Краткое описание работы

Лабораторная работа посвящена измерению спектров фононов в полупроводниковых

гетероструктурах. Изменения состава, деформации материала меняют кристаллическую структуру, и тем самым проявляются в изменениях колебательных, фононных спектров. Одним из методов структурного анализа, позволяющим исследовать фононные спектры и их изменения, является спектроскопия комбинационного рассеяния света. Суть данного метода состоит в измерении спектра рассеянного от структуры излучения лазера. При неупругом рассеянии света поглощается квант падающего излучения и рождается квант рассеянного излучения, при этом происходит рождение или уничтожение кванта (или квантов) возбуждений кристалла, например, возбуждаются колебания кристаллической решетки (фононы).

Список оборудования

  • Газовый лазер (514.5 nm Ar+ Ion laser) Spectra-Physics Stabilite 2017-05S
  • Двойной монохроматор ДФС-52 (ЛОМО)
  • Фотоэлектронный умножитель ФЭУ-136