УНЭ «Комбинационное рассеяние света в полупроводниковых гетероструктурах»
Руководитель
Павел Александрович Бушуйкин
Краткое описание работы
Лабораторная работа посвящена измерению спектров фононов в полупроводниковых
гетероструктурах. Изменения состава, деформации материала меняют кристаллическую структуру, и тем самым проявляются в изменениях колебательных, фононных спектров. Одним из методов структурного анализа, позволяющим исследовать фононные спектры и их изменения, является спектроскопия комбинационного рассеяния света. Суть данного метода состоит в измерении спектра рассеянного от структуры излучения лазера. При неупругом рассеянии света поглощается квант падающего излучения и рождается квант рассеянного излучения, при этом происходит рождение или уничтожение кванта (или квантов) возбуждений кристалла, например, возбуждаются колебания кристаллической решетки (фононы).
Список оборудования
- Газовый лазер (514.5 nm Ar+ Ion laser) Spectra-Physics Stabilite 2017-05S
- Двойной монохроматор ДФС-52 (ЛОМО)
- Фотоэлектронный умножитель ФЭУ-136