УНЭ «Полупроводниковый лазер»
Руководитель
Кирилл Владимирович Маремьянин (к.262)
Краткое описание работы
Учебно-научный эксперимент посвящен измерению важнейших характеристик инжекционных лазеров ближнего ИК диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А3В5.
Описанию работы предшествует теоретическое введение, нужное для первоначального ознакомления студентов с основными физико-техническими принципами работы инжекционных полупроводниковых лазеров. В работе исследуются спектральные характеристики спонтанного и стимулированного излучения из инжекционного лазера на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовой ямой. Измеряются зависимости мощности излучения от тока, определяется величина пороговой плотности тока, мощность и квантовый выход излучения.
Список оборудования
- Генератор импульсов Г5-56
- Цифровой осциллограф LeCroy 324A
- Источник питания постоянного тока и напряжения Keithley 2400
- Оригинальный сильноточный импульсный ключ
- Спектральный комплекс КСВУ-23 на базе монохроматора МДР-23 с набором приемников ФЭУ
- Элептическое зеркало для фокусировки излучения на входной щели монохроматора
- Синхродетектор Unipan 232B
Фото оборудования
