Безмасочная рентгеновская литография
Руководитель
Характер работы
Экспериментальный.
Описание
Литография является ключевой технологией производства элементов микро(нано)электроники, определяющей топологические нормы и степень интеграции сверхбольших интегральных схем (СБИС). При производстве наноэлектроники используется проекционная УФ (ультрафиолетовая) литография. Ключевыми недостатками этого метода является использование большого числа дорогостоящих масок, вследствие чего образуются задержки в разработке чипов, связанные с необходимостью изготовления набора масок, а также сильная зависимость стоимости чипа от объемов производства: технология становится конкурентосопособной только при массовом (от миллиона и более чипов в год) производстве. В действительности рынок микро(нано)электроники требует не только массового, но также средне- и мелкосерийного производства, причем объемы рынков, как массового, так и средне- и мелкосерийного производства, примерно одинаковы. Поэтому проблема развития безмасочной литографии является крайне актуальной.
В ИФМ РАН предложен инновационный метод безмасочная рентгеновская литография, в которой в качестве динамической маски выступает чип микрозеркал, управляемый электрическими сигналами. В настоящее время в рамках проекта Фонда Перспективных Исследований по этой теме выполняется аванпроект. В случае подтверждения физических принципов, заложенных в основу метода Фондом планируется поддержка большого проекта по созданию впервые в мире литографа-демонстратора технологии безмасочной рентгеновской литографии.
Контакты
ИФМ РАН к. 128, chkhalo@ipmras.ru
