Определение минимально возможной толщины активной области терагерцового квантово-каскадного
Руководитель
Характер работы
Теоретический, численное моделирование.
Описание
В настоящее время наиболее распространенными из компактных полупроводниковых источников когерентного излучения в терагерцовом диапазоне частот являются квантово-каскадные лазеры (ТГц ККЛ) на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs. Практическая потребность в подобных когерентных источниках во многом связана с актуальными задачами спектроскопии и анализа сложных соединений, в том числе органических, представляющих большой интерес в области биоинженерии, мониторинга окружающей среды, фундаментальных исследований и пр. Однако, обычно толщина активной области (АО) ТГц ККЛ составляет около 10 мкм и включает в себя порядка тысячи нанометровых полупроводниковых слоев точно контролируемой толщины и состава, что препятствует широкому применению ТГц ККЛ. Учитывая типичную скорость роста методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) ~ 1 мкм/ч, время роста структур ТГц ККЛ превышает 10 ч. В предлагаемой работе необходимо провести теоретическое исследование возможности существенного уменьшения числа каскадов (толщины АО) в ТГц ККЛ с волноводом металл-металл.
Контакты
ИФМ РАН к. 234, т. 417-94-82 (+234), sanya@ipmras.ru
