Cветоизлучающие наноструктуры на основе InN, сформированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Руководитель
Характер работы
Экспериментальный.
Описание
В девяностых годах прошлого столетия произошел стремительный прогресс в технологии выращивания A3N материалов, и в настоящее время нитриды являются основой для создания эффективных светодиодов, лазеров и фотодиодов видимого и ультрафиолетового диапазонов, а также мощных СВЧ транзисторов. Бόльшая часть светодиодного освещения, использующегося в быту, промышленности и на улицах изготовлена на основе этих материалов. Нитрид индия (InN) является наименее изученный из полупроводниковых нитридов металлов III группы. Только в 2002 г. было установлено, что этот прямозонный полупроводник при комнатной температуре имеет ширину запрещенной зоны EG~0.64 эВ, лежащую в инфракрасной (ИК) области спектра. Это открыло перспективы расширения спектрального диапазона работы оптических приборов на основе нитридов до ИК, а также практического использования InN и твердых растворов на его основе в электронике, фотонике и солнечной энергетике. Однако трудности приборных применений InN связаны с все еще низким качеством выращиваемых эпитаксиальных слоев, обладающих большой концентрацией электрически активных примесей и дефектов, а также с трудностями получения этого материала с дырочным типом проводимости.
В рамках работы планируется развитие технологии получения высококачественных слоёв InN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота с целью улучшения их фотоприёмных, люминесцентных и транспортных характеристик.
Контакты
ИФМ РАН к. 102, т. 417-94-73 (+102), dima@ipmras.ru
