Длинноволновые лазеры на основе наногетероструктур Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe
Руководитель
Характер работы
Экспериментальный.
Описание
Наногетероструктуры на основе твердых растворов Hg1-xCdxTe представляют собой перспективный материал для создания компактных полупроводниковых лазеров на диапазон длин волн 20 — 50 мкм. Данный диапазон недоступен для квантово-каскадных лазеров на основе соединений А3В5 ввиду сильного решеточного поглощения. К настоящему времени единственными источниками когерентного излучения в диапазоне длин волн 20 — 50 мкм остаются диффузионные лазеры на основе халькогенидов свинца-олова, которые характеризуются низкой мощностью и низкими рабочими температурами. C другой стороны, структуры на основе Hg1-xCdxTe, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, обладают рядом технологических преимуществ, основным из которых является возможность контролируемого роста гетероструктур с квантовыми ямами. Варьирование параметров квантовых ям позволяет управлять шириной запрещенной зоны и гибко «подстраивать» энергетический спектр носителей, в том числе делая его «графеноподобным», что способствует подавлению безызлучательных механизмов рекомбинации В настоящее время нами получено стимулированное излучение на рекордной длине волны 10.2 мкм. В задачи работы входит разработка дизайнов волноводных структур с квантовыми ямами на основе Hg1-xCdxTe для дальнейшего увеличения длины волны генерации, получение стимулированного излучения и экспериментальное исследование его спектральных и мощностных характеристик.
Контакты
ИФМ РАН к. 262, т. 417-94-82 (+262), more@ipmras.ru
