Исследование процессов рекомбинации носителей заряда в узкозонных структурах на основе твердых растворов Hg1–xCdxTe

Руководитель

Владимир Владимирович Румянцев

Характер работы

Экспериментальный.

Описание

Твердые растворы Hg_1-xCd_xTe — лидирующий материал при создании фотоэлектрических детекторов среднего ИК диапазона (окна прозрачности атмосферы 3 — 5 мкм, 8 — 14 мкм). Недавние работы показывают, что наногетероструктуры на основе твердых растворов Hg_1-xCd_xTe оказываются перспективными и при разработке длинноволновых лазеров. В обоих случаях ключевым является вопрос о времени жизни носителей в материале, так как оно определяет потенциальную чувствительность приемника и пороговую мощность накачки, необходимую для создания инверсии населенности в активной среде лазера. Несмотря на существенный прогресс в технологии роста, проблема снижения влияния примесей и дефектов на времена жизни носителей в твердых растворах Hg_1-xCd_xTe все еще актуальна, в особенности для узкозонных материалов (ширина запрещенной зоны менее 100 мэВ, х < 0.2). Кроме того, остается открытым вопрос о роли оже-рекомбинации в условиях высокой концентрации носителей, который становится особенно важным при разработке лазеров. Обзор литературных данных показывает, что процессы оже-рекомбинации требуют экспериментального исследования, а их теоретическое описание — дальнейшего совершенствования. В работе предполагается детальное исследование процессов рекомбинации носителей в узкозонных твердых растворах Hg_1-xCd_xTe и гетероструктурах с квантовыми ямами на их основе в широком интервале температур и интенсивностей возбуждения с помощью разрешенных по времени исследований фотопроводимости и фотолюминесценции, а также методом pump-probe с использованием лазера на свободных электронах HZDR FELBE (Дрезден, Германия).

Контакты

ИФМ РАН к. 262, т. 417-94-82 (+262), rumyantsev@ipmras.ru