Вертикальный полевой транзистор с управляющим p-n переходом на основе GaAs
Руководитель
Характер работы
Экспериментальный и теоретический.
Описание
Работа посвящена созданию нового силового GaAs полевого транзистора с вертикальным каналом, управляемым p-n переходом. Предполагается проведение теоретических (численное моделирование) и экспериментальных исследований транспортных процессов протекающих в разрабатываемых транзисторных структурах.
Контакты
ИФМ РАН к. 204, т. 417-94-92, vostokov@ipmras.ru