Вертикальный полевой транзистор с управляющим p-n переходом на основе GaAs

Руководитель

Внешняя ссылкаНиколай Владимирович Востоков

Характер работы

Экспериментальный и теоретический.

Описание

Работа посвящена созданию нового силового GaAs полевого транзистора с вертикальным каналом, управляемым p-n переходом. Предполагается проведение теоретических (численное моделирование) и экспериментальных исследований транспортных процессов протекающих в разрабатываемых транзисторных структурах.

Контакты

ИФМ РАН к. 204, т. 417-94-92, vostokov@ipmras.ru