Спектральные и кинетические исследования люминесцентных свойств полупроводниковых наноструктур
Руководитель
Характер работы
Экспериментальный.
Описание
Работа посвящена экспериментальному исследованию люминесцентных свойств полупроводниковых наноструктур, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне. В качестве объектов исследования будут рассмотрены: структуры с пространственно упорядоченными Ge(Si) наноостровками и фотонными кристаллами на их основе; одноосно и двухосно растянутые микроструктуры на основе слоев Ge; структуры с нитевидными нанокристаллами («вискерами») InAsP/InP и GaAs/AlGaAs; эпитаксиальные структуры InN.
В ходе работы предполагается ознакомление с такими современными методами исследования как:
- спектроскопия фотолюминесценции видимого и инфракрасного диапазона с наносекундным временным разрешением;
- спектроскопия возбуждения фотолюминесценции с использованием перестраиваемых по длине волны лазерных источников излучения;
- спектроскопия микро-фотолюминесценции с пространственным разрешением 1-2 нм;
- измерения при криогенных температурах и исследования температурных зависимостей фотолюминесценции в диапазоне от 4.2 до 300 К;
- исследование стимулированного излучения и лазерной генерации в полупроводниковых структурах.
Контакты
ИФМ РАН к. 261, т. 417-94-82 (+261), yablonsk@ipmras.ru
