Исследование особенностей эпитаксии GaN на а-срезе сапфира
Руководитель
Характер работы
Экспериментальный.
Описание
Курсовая работа предполагает участие в исследованиях структурных и электрофизических свойств слоев нитрида галлия, выращенных на подложках а-среза сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Возможно участие в технологических процессах получения и подготовки эпитаксиальных структур, проведение рентгенодифракционных исследований и электрофизических измерений, выполнение кристаллофизических расчетов, обработка и интерпретация результатов
Контакты
ИФМ РАН к. 238, т. 417-94-59, 
yunin@ipmras.ru