Формирование и свойства высококачественных слоев германия для кремниевой оптоэлектроники
Руководитель
Характер работы
Экспериментальный.
Описание
Одной из актуальной проблем развития современной кремниевой нано- и оптоэлектроники является интеграция на кремниевой подложке устройств на основе германия (Ge). Ge по целому ряду свои параметров превосходит кремний, что позволяет создавать на его основе быстродействующие транзисторы, приемники и источники излучения ближнего ИК диапазона. Но для интеграции приборов на основе Ge с традиционной кремниевой технологией необходимо решить задачу получения на Si(001) подложках тонких (1 мкм и менее) высококачественных слоев Ge и их селективного легирования донорами. Решению этих задач и посвящена предлагаемая курсовая работа.
Работа является, в основном, экспериментальной и предполагает освоение современного технологического оборудования эпитаксии полупроводниковых SiGe гетероструктур и анализ результатов исследований, полученных структур широким набором методов. В настоящей работе предполагается проведение исследования возможностей роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии на Si(001) подложках релаксированных и растянутых Ge слоев высокого кристаллического качества, изучение способов внедрения доноров в Ge матрицу без деградации структур, формирование образцов для потенциальных приборных применений.
Контакты
ИФМ РАН к. 102, т. 417-94-80 (+102), inquisitor@ipmras.ru
