Главная / Сотрудники / Дубинов А.А.

Александр Алексеевич Дубинов

Научный сотрудник отдела физики полупроводников ИФМ РАН, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 25 февраля 1979 года в г. Арзамасе Нижегородской области. Женат.

Научные интересы

Полупроводниковые лазеры, электронный транспорт в наноструктурах, нелинейные явления в полупроводниках, графен.

Образование

Школа

Средняя школа №10 г. Арзамаса Нижегородской области.

ВУЗ

ВШОПФ ННГУ.

Профессиональная карьера

  • 2002 — 2005 — младший научный сотрудник ИФМ РАН;
  • 2005 — н. в. — научный сотрудник ИФМ РАН.

Избранные публикации

  • Monte Carlo simulation of hot electron transport in quantum well heterostructures under Г -L intervalley transfer / V. Ya. Aleshkin, A. A. Andronov and A. A. Dubinov, Semicond. Sci. Technol. 19, S29 (2004);
  • Parametric generation of a mid-infrared mode in semiconductor waveguides using a surface diffraction grating / A. A. Afonenko, V. Ya. Aleshkin and A. A. Dubinov, Semicond. Sci. Technol. 20, 357-362 (2005);
  • Nonlinear mode mixing in dual-wavelenght semiconductor lasers with tunnel junctions / S. M. Nekorkin, A. A. Biryukov, P. B. Demina, N. N. Semenov, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov, A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky, Appl. Phys. Lett. 90, 171106 (2007);
  • Room-temperature intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers / B. N. Zvonkov, A. A. Biryukov, A. V. Ershov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. A. Dubinov, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov, A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, and Vl. V. Kocharovsky, Appl. Phys. Lett. 92, 021122 (2008);
  • Генерация излучения на разностной частоте в среднем и дальнем ИК диапазонах с использованием субпико- и пикосекундных полупроводниковых лазеров / В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Квантовая электроника 38 (2), 149 (2008);
  • Генерация излучения на разностной частоте в дальнем и среднем ИК диапазонах в двухчиповом лазере на основе арсенида галлия с германиевой подложкой / В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Квантовая электроника, 38 (9), 855 (2008);
  • Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization / V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. Ryzhii, Письма в ЖЭТФ 89 (2), 70 (2009);
  • Внутрирезонаторная генерация разностной частоты терагерцевого диапазона в двухчастотном InGaAsP/InP-лазере с квантовыми ямами InGaAs / В. Я. Алёшкин, А. А. Дубинов, Квантовая электроника 39 (8), 727-730 (2009);
  • Terahertz laser with optically pumped graphene layers and Fabri-Perot resonator / A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, M. Ryzhii, T. Otsuji, and V. Ryzhii, Applied Physics Express 2 092301.32 (2009);
  • Feasibility of terahertz lasing in optically pumped epitaxial multiple graphene layer structures / V. Ryzhii, M. Ryzhii, A. Satou, T. Otsuji, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, J. Appl. Phys. 106, 084507 (2009);
  • Terahertz lasers based on optically pumped multiple graphene structures with slot-line and dielectric waveguides / V. Ryzhii, A. A. Dubinov, T. Otsuji, V. Mitin, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 107, 054505 (2010);
  • Полупроводниковый лазер с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности / В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, Квантовая электроника 40 (10), 855-857 (2010);
  • Terahertz surface plasmons in optically pumped graphene structures / A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. Mitin, T. Otsuji and V. Ryzhii, J. Phys.: Condens. Matter 23, 145302 (2011);
  • Direct band Ge and Ge/InGaAs quantum wells in GaAs / V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, J. Appl. Phys. 109, 123107 (2011).

Контактная информация

ИФМ РАН к.234

Тел. (831) 417-94-82 +234

E-mail: Почтовая ссылкаsanya@ipmras.ru