Главная / Сотрудники / Лобанов Д.Н.

Дмитрий Николаевич Лобанов

Старший научный сотрудник отдела физики полупроводников ИФМ РАН, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 29 октября 1976 г. в Горьком. Женат.

Научные интересы

Физика полупроводников, наноструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия.

Образование

Школа

Физ.-мат. школа №180 г. Нижнего Новгорода.

ВУЗ

Радиофизический факультет ННГУ.

Профессиональная карьера

  • 1999 — 2001 — аспирант ИФМ РАН;
  • 1999 — 2007 — младший научный сотрудник ИФМ РАН;
  • 2007 — н. в. —  научный сотрудник ИФМ РАН.

Избранные публикации

  • Transition from «dome» to «pyramid» shape of self-assembled GeSi islands / N. V. Vostokov, I. V. Dolgov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil’nik, D. N. Lobanov, L. D. Moldavskaya, A. V. Novikov, V. V. Postnikov, D. O. Filatov, Journal of Crystal Growth 209, 302 (2000);
  • The relation between composition and sizes of GeSi/Si(001) islands grown at different temperatures / N. V. Vostokov, S. A. Gusev, Yu. N. Drozdov, D. N. Lobanov, L. D. Moldavskaya, A. V. Novikov, V. V. Postnikov, Z. F. Krasil’nik, M. Miura, N. Usami, Y. Shiraki, V. A. Uakhimchuk, M. Ya. Valax, N. Mestres, J. Pascual, Phys. Low-Dim. Struct. 3/4, 295 (2001);
  • Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GеSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, Письма в ЖЭТФ 76 (6), 425 (2002);
  • Photoluminescence of Ge(Si)/Si(001) self-assembled islands in the near infra-red wavelength range / A. V. Novikov, D. N. Lobanov, А. N. Yablonsky, Yu. N. Drozdov, N. V. Vostokov and Z. F. Krasilnik, Physica E 16/3-4, 467 (2003); Фотолюминесценция GeSi/Si(001) самоорганизующихся наноостровков различной формы / Н. В. Востоков, З. Ф. Kрасильник, Д. Н. Лобанов, A. В. Новиков, М. В. Шалеев, A. Н. Яблонский, ФТТ 46, 63 (2004);
  • Growth and photoluminescence of Ge(Si) self-assembled islands obtained during the deposition of Ge on a strained SiGe layer / D. N. Lobanov, A. V. Novikov, N. V. Vostokov, Y. N. Drozdov, A. N. Yablonskiy, Z. F. Krasilnik, M. Stoffel, U. Denker, O. G. Schmidt, Optical Materials 27, 818 (2005);
  • Особенности фотолюминесценции Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков, выращенных на напряженном Si1-xGex слое / Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, А. Н. Яблонский, ФТП 40, 343 (2006);
  • Photoluminescence of dome and hut shaped Ge(Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer / M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov, Applied Physics Letters 91, 021916 (2007);
  • Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001) / Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, А. Н. Яблонский, ФТП 42 (3), 291 (2008)
  • Electroluminescence and photoconductivity of GeSi heterostructures with self-assembled islands in the wavelength range 1.3-1.55 mcm / D. N. Lobanov, A. V. Novikov, K. E. Kudryavtsev, A. N. Yablonskiy, A. V. Antonov, Yu. N. Drozdov, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, Z. F. Krasilnik, N. D. Zakharov, P. Werner, Physica E 41, 935 (2009)
  • Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных SiGe/Si(001) гетероструктур / А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, В. В. Платонов, С. В. Оболенский, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник, ФТП 44 (3), 346 (2010);
  • SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics / Z. F. Krasilnik, A. V. Novikov, D. N. Lobanov, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, S. V. Obolenskiy, N. D. Zakharov and P Werner, Semicond. Sci. Technol. 26, 014209 (2011).

Контактная информация

ИФМ РАН к.102

Тел.: (831) 417-94-82 +102

E-mail: Почтовая ссылкаdima@ipmras.ru